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應用領域	電氣

HN8061A兆歐表檢定裝置

 絕緣電阻檢定裝置

依據(jù)JJG1005—2005《電子式絕緣電阻表檢定規(guī)程》、JJG622—1997《絕緣電阻表（兆歐表）檢定規(guī)程》,用于檢定電子式絕緣電阻表的示值誤差、跌落電壓、短路電流。
二、主要技術(shù)指標
絕緣電阻表檢定裝置(兆歐表檢定裝置)主要用來檢定額定電壓≤10000V的絕緣電阻表，也可在絕緣電阻表生產(chǎn)、修理中作標準器具。其電阻器部分可單使用。數(shù)字表部分可測5000V的直流電壓和大20mA的直流電流。
本檢定裝置的主要技術(shù)性能如下：
㈠ 標準數(shù)字表
1、測量范圍：
電壓分兩檔：0～5000V  0～10000V  
 短路電流：0～2mA    0～20mA

電阻0-200G-1T-10T 為了描述物理層結(jié)構(gòu)的特征，還必須進行頻域分析。S參數(shù)模型說明了這些數(shù)字電路結(jié)構(gòu)所展示出來的模擬特點包括：不連續(xù)點反射、頻率相關(guān)損耗、串擾和EMI等性能。為使設備性能符合標準，眼圖增加了重要的統(tǒng)計分析功能。為利用特性檢定技術(shù)改善仿真能力，可以采用基于測試結(jié)果的S參數(shù)或RLCG模型提取技術(shù)。隨著在多種工作模式下進行數(shù)字和模擬綜合分析（時域和頻域）變得越來越重要，要完成這些測試功能，通常需要使用多種測試儀表，同時操作多種儀表正變得越來越困難。

HN8062A接地電阻表校驗裝置

 

用于檢定JJG336-2004《接地電阻表檢定規(guī)程》所適用的我目前生產(chǎn)的型號的模擬式、數(shù)字式接地電阻表以及進口的同類儀表，也可做普通電阻箱使用，具有調(diào)節(jié)范圍寬，使用方便，造型美觀等優(yōu)點。 一般的測定方法有以下幾種：紅外光度法：試樣中的碳、硫經(jīng)過富氧條件下的高溫加熱，氧化為二氧化碳、氣體。該氣體經(jīng)處理后進入相應的吸收池，對相應的紅外輻射進行吸收，由探測器轉(zhuǎn)發(fā)為信號，經(jīng)計算機處理輸出結(jié)果。此方法具有準確、快速、靈敏度高的特點，高低碳硫含量均使用，采用此方法的紅外碳硫分析儀，自動化程度較高，價格也比較高，適用于分析精度要求較高的場合。容量法：常用的有測碳為氣體容量法和非水滴定法，測硫為碘量法、酸堿滴定法。

主要技術(shù)指標：
1、模擬接地電阻

步進阻值（Ω）	*1000	*100	*10	*1	*0.1	*0.01	*0.001
功率（W）	0.25	0.25	0.25	0.25	0.1	0.1	0.1
基本誤差極限（α%）	0.1	0.1	0.1	0. 1	1	5	10
時間常數(shù)τ（S）	≤5*10-6
阻值調(diào)節(jié)范圍（Ω）	0.1--11111.210 小步進值0.001Ω

2、模擬輔助接地電阻

電阻值（Ω）	0	500	1000	2000	5000
基本誤差極限（α%）	<0.05Ω	1Ω
功率（W）	0--0.25W

即使在雨、霧等惡劣的氣候條件下，由于可見光的波長短，克服障礙的能力差，因而觀測效果差，但紅外線的波長較長，特別是工作在8～14um的熱成像儀，穿透雨、霧的能力較高，因此仍可以正常觀測目標。因此在夜間，尤其在惡劣的氣候條件下，采用紅外熱成像監(jiān)控設備則可以對目標，如人員、車輛等進行監(jiān)控。防火監(jiān)控由于紅外熱成像儀是反映物體表面溫度而成像的設備，因此除了夜間可以作為現(xiàn)場監(jiān)控使用外，還可以作為有效的火警探測設備。

HN8063A耐電壓測試儀校驗裝置

一、性能特點

1、測量準度：

，OPA209的典型PSRR是0.05uV/V。因此對于OPA209來說，電源變化1V時，失調(diào)偏移只有50nV(參見)。這一誤差與典型失調(diào)電壓(35uV)相比就無關(guān)緊要了。此外，高精度系統(tǒng)中的電源通常支持不足1V的電壓變量。因此您可能會認為：對于具有良好PSRR的器件(OPA209)來說電源變化產(chǎn)生的誤差可以忽略。問題是數(shù)據(jù)表中的規(guī)范是DCPSRR，而通常ACPSRR才是限制因素。再簡單一點，就是考慮更好的散熱吧。功率管發(fā)熱功率管的功耗分成兩部分，開關(guān)損耗和導通損耗。要注意，大多數(shù)場合特別是LED市電驅(qū)動應用，開關(guān)損害要遠大于導通損耗。開關(guān)損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅(qū)動能力和工作頻率有關(guān)，所以要解決功率管的發(fā)熱可以從以下幾個方面解決：不能片面根據(jù)導通電阻大小來選擇MOS功率管，因為內(nèi)阻越小，cgs和cgd電容越大。如1N60的cgs為250pF左右，2N60的cgs為350pF左右，5N60的cgs為1200pF左右，差別太大了，選擇功率管時，夠用就可以了。